SK(Hynix开始量产其新DRAM：HBM2E –每秒460GB以上)

导读 最近SK Hynix开始量产其新DRAM：HBM2E –每秒460GB以上这个话题，相信很多小伙伴都是非常有兴趣了解的吧，一段好的故事可以给读者带来很

最近SK Hynix开始量产其新DRAM：HBM2E –每秒460GB以上这个话题，相信很多小伙伴都是非常有兴趣了解的吧，一段好的故事可以给读者带来很多值得深思的新东西，甚至还可以在一定程度上让读者的视野在瞬间扩大，那么既然现在大家都想要知道此类的信息，今日小编将给带来关于SK Hynix开始量产其新DRAM：HBM2E –每秒460GB以上的资讯！

SK海力士宣布在去年8月宣布开辟新产品仅十个月后，就开始了大规模大规模生产高速DRAM’HBM2E’。SK Hynix的HBM2E基于每引脚3.6GBps(每秒千兆位)的速度性能，每秒支持460GB(千兆字节)以上的速度，具有1,024个I / O(输入/输出)。它是业界最快的DRAM解决方案，能够每秒传输124个FHD(全高清)电影(每个3.7GB)。

SK Hynix量产HBM2E DRAM-TSV通过垂直堆叠16 GB芯片实现更高的密度

通过TSV(Through Silicon Via)技术垂直堆叠八个16GB芯片，密度为16GB，是上一代产品(HBM2)的两倍多。TSV是一种互连技术，可通过DRAM芯片上的数千个细孔连接上下芯片。

在将多个DRAM芯片堆叠在缓冲芯片上之后，它会通过贯通整个硅片厚度的柱形路径传递数据，命令和电流。与现有的封装方法相比，它的尺寸最多可减少30%，功耗最多可减少50%。

HBM2E具有高速，大容量和低功耗的特点;它是下一代AI(人工智能)系统(包括深度学习加速器和高性能计算)的最佳内存解决方案，这些系统都需要高级计算性能。以下是SK海力士HBM2E存储器的一些关键点：

HBM（高带宽内存）

采纳TSV技术的高性能，高带宽存储器产品大大加快了传统DRAM的数据处理速度。

TSV（通过硅通孔）

通过DRAM芯片上的数千个细孔连接上下芯片的互连技术。

在缓冲芯片上堆叠多个DRAM芯片后，通过贯通整个硅片厚度的柱形路径提供数据，命令和电流。

与现有的封装方法相比，尺寸最多可减少30%，功耗最多可减少50%。

数据处理速度转换的标准

1GB = 8Gb

每个引脚3.6Gbps，1024个数据I / O(输入/输出)= 3686.4Gbps

3686.4Gbps / 8 = 460.8GB / s(Gb-> GB转换)

此外，有望将其应用于Exascale超级计算机(一种高性能计算系统，每秒可以执行五百亿次计算)，它将引领下一代基础和应用科学的研究，例如气候变化，生物军医和太空探究。

SK海力士执行副总裁兼首席营销官(JMO)Jonghoon Oh说：“ SK海力士向来走在技术创新的最前沿，为人类文明做出了贡献，取得了包括世界上第一个HBM产品开辟在内的成就。”“随着HBM2E的大规模量产，我们将继续加强我们在高端存储器市场的影响力，并领导第四次工业革命。”

以上就是久久派网»SK Hynix开始量产其新DRAM：HBM2E –每秒460GB以上的相关内容了，更多精彩请关注久久派号公众号。